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HLNAND快閃記憶體

與使用傳統 NAND 快閃記憶體裝置的快閃記憶體儲存系統相比,新一代快閃記憶體可提供卓越的可擴充性、效能和可靠性。

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NAND 快閃記憶體

與使用傳統 NAND 快閃記憶體裝置的快閃記憶體儲存系統相比,新一代快閃記憶體可提供卓越的可擴充性、效能和可靠性。

HLNAND 基於獨特的菊花環架構構建,該架構超越了業界標準 NAND 快閃記憶體產品中使用的平行總線架構

  • 為快閃記憶體實現的點對點環形拓撲
  • 每個設備驅動單點負載
  • 每個通道的設備數量幾乎不受限制
  • 不需要 ODT
  • 創新架構:超大規模記憶體架構
  • 高速介面:533/667/800/1066/1333/1600 MT/s
  • 低功耗:環形拓撲,無需片上端接和智慧型 IO 開關電源截斷
  • 理想的訊號完整性:高速通道的點對點菊花鏈
  • 與 NAND 無關:SLC、eMLC、MLC、TLC
  • 高容量:1Tb 和 2Tb HLNAND、4Tb 3D HLNAND
NAND 快閃記憶體

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