半導體材料
Test Wafer/Dummy Wafe/Monitor Wafer測試片/檔片/控片/金屬膜晶圓片/鋁膜片/氧化膜片/氮化膜晶圓片
一.Test Wafer / Dummy Wafer / Monitor Wafer
測試片 / 檔片 / 控片
6” 8” 12” Dummy wafer
二.Metal film Wafer
金屬膜晶圓片(Al、Ni、Ag、Au、Ti、Pb、Cu)
產品應用：
1. 蝕刻率測試
2. 金屬打線測試
3. 金屬晶圓
4. 電性絕緣層
三.8”&12” Thermal Oxide film / Nitride film 8”&12”
氧化膜 / 氮化膜晶圓片
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|
6 “ |
8” |
12” |
|
Thickness |
675 ± 25 um |
725 ± 25 um |
775 ± 25 um |
|
Type |
P |
P |
P |
|
Orientation |
<100> |
<100> |
<100> |
|
Res. |
1 ~ 100 ohm-cm |
1 ~ 100 ohm-cm |
1 ~ 100 ohm-cm |
|
TTV |
<50um |
<50um |
<50um |
|
WARP |
<50um |
<50um |
<50um |
|
Thermal Oxide Layer |
1000~10000A± 10% |
1000~10000A± 10% |
1000~10000A± 10% |
Thermal Oxide wafer (熱氧化膜片)
熱氧化處理需要在高溫爐管區中進行，爐內溫度控制在800 - 1000℃。矽晶圓在爐內高
溫環境下，晶圓表面會與通入爐管內之氧氣作用而形成二氧化矽膜(SiO2)。
熱氧化物是一種“生長”的氧化物層，相對於CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強度，這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數矽為基礎的設備，熱氧化層扮演著重要的角色，安撫矽表面，作為摻雜障礙和表面電介質。
四.6" 8" 12" 鋁膜片 AL wafer
|
|
6 “ |
8” |
12” |
|
Thickness |
>500 um |
>600 um |
>650 um |
|
TTV |
<50um |
<50um |
<50um |
|
WARP |
<50um |
<50um |
<50um |
|
Metallization Thinkness |
1000~10000A± 10% |
1000~10000A± 10% |
1000~10000A± 10% |
產品應用：
1. 封裝測試
2. 研磨測試
3. 切割測試
4. 上片測試
5. 挑揀測試
6. 打線測試
7. 鋁線產品切割或wire bonding等的封測
8. 機台品質控製或參數設定測試
9. 研發製程人員特殊實驗或是打樣
10. dummy IC/chips 生產
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